IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1416982 Pieces
参考価格
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仕様 IPD180N10N3GBTMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPD180N10N3GBTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 43A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 33µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1800pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 71W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPD180N10N3GBTMA1
データシート : IPD180N10N3GBTMA1.pdf
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