IPD180N10N3GBTMA1 データシート
仕様 IPD180N10N3GBTMA1
品番 :
IPD180N10N3GBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明文 :
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
43A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 33µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1800pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
71W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1416982 個
参考価格
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