IPW60R090CFD7XKSA1 - HIGH POWERNEW

製造業者識別番号

IPW60R090CFD7XKSA1

内部部品番号

ABC-IPW60R090CFD7XKSA1

メーカー

Infineon Technologies

簡単な説明

HIGH POWERNEW

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

92704 Pieces

参考価格

~~USD 4.035~~

私たちの価格

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仕様 IPW60R090CFD7XKSA1

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : IPW60R090CFD7XKSA1

メーカー : Infineon Technologies

説明文 : HIGH POWERNEW

シリーズ : OptiMOS™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 570µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs（最大） : ±20V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2103pF @ 400V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 125W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3

パッケージ/ケース : TO-247-3

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント IPW60R090CFD7XKSA1

データシート : IPW60R090CFD7XKSA1.pdf

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