IPW60R090CFD7XKSA1 データシート
仕様 IPW60R090CFD7XKSA1
品番 :
IPW60R090CFD7XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明文 :
HIGH POWERNEW
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 570µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2103pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
HIGH POWERNEW
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
92704 個
参考価格
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- MoneyGram
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