SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SISH106DN-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
804776 Pieces
参考価格
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仕様 SISH106DN-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SISH106DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 27nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8SH
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SISH106DN-T1-GE3
データシート : SISH106DN-T1-GE3.pdf
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