TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

製造業者識別番号

TPS1101DR

内部部品番号

ABC-TPS1101DR

メーカー

T-I

簡単な説明

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

674751 Pieces

参考価格

~~USD 0.4851~~

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仕様 TPS1101DR

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : TPS1101DR

メーカー : T-I

説明文 : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : P-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 15V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.3A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.7V, 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs（最大） : +2V, -15V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -

FET機能 : -

消費電力（最大） : 791mW (Ta)

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント TPS1101DR

データシート : TPS1101DR.pdf

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