SQS481ENW-T1_GE3 - MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SQS481ENW-T1_GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1655493 Pieces
参考価格
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仕様 SQS481ENW-T1_GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SQS481ENW-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.095 Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 385pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 62.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SQS481ENW-T1_GE3
データシート : SQS481ENW-T1_GE3.pdf
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