DMG4N60SJ3 - MOSFET NCH 600V 3A TO251
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-DMG4N60SJ3
メーカー
簡単な説明
MOSFET NCH 600V 3A TO251
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
989485 Pieces
参考価格
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仕様 DMG4N60SJ3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : DMG4N60SJ3
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET NCH 600V 3A TO251
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 532pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 41W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント DMG4N60SJ3
データシート : DMG4N60SJ3.pdf
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