DMJ70H600SH3 - MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

製造業者識別番号

DMJ70H600SH3

内部部品番号

ABC-DMJ70H600SH3

メーカー

Diodes Incorporated

簡単な説明

MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

382585 Pieces

参考価格

~~USD 0.855535~~

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仕様 DMJ70H600SH3

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : DMJ70H600SH3

メーカー : Diodes Incorporated

説明文 : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

シリーズ : Automotive, AEC-Q101

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 700V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 18.2nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 643pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 113W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251

パッケージ/ケース : TO-251-3, IPak, Short Leads

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント DMJ70H600SH3

データシート : DMJ70H600SH3.pdf

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