NSB8MTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-NSB8MTHE3_A/P
簡単な説明
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
900970 Pieces
参考価格
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仕様 NSB8MTHE3_A/P
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : NSB8MTHE3_A/P
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1000V
電流-平均整流（Io） : 8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 8A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント NSB8MTHE3_A/P
データシート : NSB8MTHE3_A/P.pdf
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