EPC2103ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-EPC2103ENG
メーカー
簡単な説明
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
52897 Pieces
参考価格
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仕様 EPC2103ENG
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : EPC2103ENG
メーカー : EPC
説明文 : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 7mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6.5nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 760pF @ 40V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント EPC2103ENG
データシート : EPC2103ENG.pdf
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