SIHU4N80E-GE3 - MOSFET N-CHAN 800V TO-251
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SIHU4N80E-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
296212 Pieces
参考価格
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仕様 SIHU4N80E-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIHU4N80E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CHAN 800V TO-251
シリーズ : E
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 622pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 69W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SIHU4N80E-GE3
データシート : SIHU4N80E-GE3.pdf
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