NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-NCP81075DR2G
メーカー
簡単な説明
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
691236 Pieces
参考価格
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仕様 NCP81075DR2G
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : NCP81075DR2G
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
駆動構成 : High-Side or Low-Side
チャンネルタイプ : Independent
ドライバー数 : 2
門型 : N-Channel MOSFET
電圧-供給 : 8.5V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH : 0.8V, 2.7V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） : 4A, 4A
入力方式 : Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） : 200V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） : 8ns, 7ns
動作温度 : -40°C ~ 140°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント NCP81075DR2G
データシート : NCP81075DR2G.pdf
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