TC58BYG1S3HBAI6 - IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-TC58BYG1S3HBAI6
簡単な説明
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
210584 Pieces
参考価格
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仕様 TC58BYG1S3HBAI6
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TC58BYG1S3HBAI6
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明文 : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
シリーズ : Benand™
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns
アクセス時間 : 25ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 67-VFBGA (6.5x8)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント TC58BYG1S3HBAI6
データシート : TC58BYG1S3HBAI6.pdf
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