HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-HGT1S10N120BNST
メーカー
簡単な説明
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
363083 Pieces
参考価格
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仕様 HGT1S10N120BNST
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : HGT1S10N120BNST
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 35A
電流-パルスコレクター（Icm） : 80A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 : 298W
スイッチングエネルギー : 320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 100nC
Td（オン/オフ）@ 25°C : 23ns/165ns
試験条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント HGT1S10N120BNST
データシート : HGT1S10N120BNST.pdf
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