IGT60R070D1ATMA1 - IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-IGT60R070D1ATMA1
簡単な説明
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
75036 Pieces
参考価格
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仕様 IGT60R070D1ATMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IGT60R070D1ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
シリーズ : CoolGaN™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.6V @ 2.6mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 380pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-3
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IGT60R070D1ATMA1
データシート : IGT60R070D1ATMA1.pdf
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