IPI076N12N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
354816 Pieces
参考価格
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仕様 IPI076N12N3GAKSA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPI076N12N3GAKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 7.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 130µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 101nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6640pF @ 60V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 188W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPI076N12N3GAKSA1
データシート : IPI076N12N3GAKSA1.pdf
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