TK31J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-TK31J60W,S1VQ
簡単な説明
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
88536 Pieces
参考価格
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仕様 TK31J60W,S1VQ
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TK31J60W,S1VQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 30.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.7V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3000pF @ 300V
FET機能 : Super Junction
消費電力（最大） : 230W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P(N)
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント TK31J60W,S1VQ
データシート : TK31J60W,S1VQ.pdf
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