MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-MURTA20060R
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
45543 Pieces
参考価格
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仕様 MURTA20060R
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : MURTA20060R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 100A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 100A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント MURTA20060R
データシート : MURTA20060R.pdf
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