SI5513DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI5513DC-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
54041 Pieces
参考価格
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仕様 SI5513DC-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI5513DC-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.1A, 2.1A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 1.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI5513DC-T1-GE3
データシート : SI5513DC-T1-GE3.pdf
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