IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-IRFHM8363TRPBF
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1700384 Pieces
参考価格
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仕様 IRFHM8363TRPBF
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IRFHM8363TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1165pF @ 10V
パワー-最大 : 2.7W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IRFHM8363TRPBF
データシート : IRFHM8363TRPBF.pdf
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