EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

製造業者識別番号

EPC2012C

内部部品番号

ABC-EPC2012C

メーカー

EPC

簡単な説明

GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

550116 Pieces

参考価格

~~USD 0.595~~

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仕様 EPC2012C

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : EPC2012C

メーカー : EPC

説明文 : GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 5A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1.3nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -4V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 140pF @ 100V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die Outline (4-Solder Bar)

パッケージ/ケース : Die

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント EPC2012C

データシート : EPC2012C.pdf

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