FDB0260N1007L - MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-FDB0260N1007L
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
191368 Pieces
参考価格
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仕様 FDB0260N1007L
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : FDB0260N1007L
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8545pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント FDB0260N1007L
データシート : FDB0260N1007L.pdf
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