SQJ200EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SQJ200EP-T1_GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1328418 Pieces
参考価格
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仕様 SQJ200EP-T1_GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SQJ200EP-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A, 60A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 975pF @ 10V
パワー-最大 : 27W, 48W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SQJ200EP-T1_GE3
データシート : SQJ200EP-T1_GE3.pdf
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