SI8429DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI8429DB-T1-E1
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1416982 Pieces
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仕様 SI8429DB-T1-E1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI8429DB-T1-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs（最大） : ±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1640pF @ 4V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-Microfoot
パッケージ/ケース : 4-XFBGA, CSPBGA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI8429DB-T1-E1
データシート : SI8429DB-T1-E1.pdf
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