SCTH90N65G2V-7 - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SCTH90N65G2V-7
メーカー
簡単な説明
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
63456 Pieces
参考価格
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仕様 SCTH90N65G2V-7
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SCTH90N65G2V-7
メーカー : STMicroelectronics
説明文 : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs（最大） : +22V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3300pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 330W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : H2PAK-7
パッケージ/ケース : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SCTH90N65G2V-7
データシート : SCTH90N65G2V-7.pdf
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