RF4E070BNTR - MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-RF4E070BNTR
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1855574 Pieces
参考価格
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仕様 RF4E070BNTR
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : RF4E070BNTR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 28.6 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 410pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2W (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : HUML2020L8
パッケージ/ケース : 8-PowerUDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント RF4E070BNTR
データシート : RF4E070BNTR.pdf
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