SI2329DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI2329DS-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2574824 Pieces
参考価格
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仕様 SI2329DS-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI2329DS-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1485pF @ 4V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI2329DS-T1-GE3
データシート : SI2329DS-T1-GE3.pdf
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