EPC2016C - GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

製造業者識別番号

EPC2016C

内部部品番号

ABC-EPC2016C

メーカー

EPC

簡単な説明

GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

623462 Pieces

参考価格

~~USD 0.525~~

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仕様 EPC2016C

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : EPC2016C

メーカー : EPC

説明文 : GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 18A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 3mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4.5nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -4V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 420pF @ 50V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

パッケージ/ケース : Die

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント EPC2016C

データシート : EPC2016C.pdf

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