2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

製造業者識別番号

2SK3666-3-TB-E

内部部品番号

ABC-2SK3666-3-TB-E

メーカー

ON Semiconductor

簡単な説明

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

6809334 Pieces

参考価格

~~USD 0.04807~~

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仕様 2SK3666-3-TB-E

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : 2SK3666-3-TB-E

メーカー : ON Semiconductor

説明文 : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

電圧-内訳（V（BR）GSS） : -

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V

電流-ドレイン（Idss）@ Vds（Vgs = 0） : 1.2mA @ 10V

電流ドレイン（Id）-最大 : 10mA

電圧-カットオフ（VGSオフ）@ Id : 180mV @ 1µA

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4pF @ 10V

抵抗-RDS（オン） : 200 Ohms

パワー-最大 : 200mW

動作温度 : 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

サプライヤーデバイスパッケージ : 3-CP

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント 2SK3666-3-TB-E

データシート : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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