SI7900AEDN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1174040 Pieces
参考価格
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仕様 SI7900AEDN-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI7900AEDN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 16nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 1.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI7900AEDN-T1-GE3
データシート : SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
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