VS-GT300YH120N データシート
仕様 VS-GT300YH120N
品番 :
VS-GT300YH120N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 :
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
341A
パワー-最大 :
1042W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
300µA
入力容量（Cies）@ Vce :
36nF @ 30V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Double INT-A-PAK
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-VS-GT300YH120N
簡単な説明
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26418 個
参考価格
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