TK42E12N1,S1X データシート
仕様 TK42E12N1,S1X
品番 :
TK42E12N1,S1X
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 :
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
88A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.4 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3100pF @ 60V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
140W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-TK42E12N1,S1X
簡単な説明
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
67104 個
参考価格
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IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
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Intel |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
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