仕様 TJ50S06M3L(T6L1,NQ

品番 : TJ50S06M3L(T6L1,NQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
シリーズ : U-MOSVI
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs(最大) : +10V, -20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6290pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 90W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK+
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
820358 個
参考価格
USD 0
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