STL18NM60N データシート
仕様 STL18NM60N
品番 :
STL18NM60N
メーカー :
STMicroelectronics
説明文 :
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.1A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1000pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 110W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-STL18NM60N
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
329014 個
参考価格
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