SPP06N60C3HKSA1 データシート
仕様 SPP06N60C3HKSA1
品番 :
SPP06N60C3HKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明文 :
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 260µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
620pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SPP06N60C3HKSA1
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
442330 個
参考価格
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Xilinx Inc. |
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