SIB417EDK-T1-GE3 データシート
仕様 SIB417EDK-T1-GE3
品番 :
SIB417EDK-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
58 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs（最大） :
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
565pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SIB417EDK-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1478421 個
参考価格
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