SI7904BDN-T1-GE3 データシート
仕様 SI7904BDN-T1-GE3
品番 :
SI7904BDN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
860pF @ 10V
パワー-最大 :
17.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI7904BDN-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1251712 個
参考価格
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- Western Union
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