仕様 SI5511DC-T1-GE3

品番 : SI5511DC-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A, 3.6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.1nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 435pF @ 15V
パワー-最大 : 3.1W, 2.6W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
53989 個
参考価格
USD 0
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