SI4110DY-T1-GE3 データシート
仕様 SI4110DY-T1-GE3
品番 :
SI4110DY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2205pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI4110DY-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
105744 個
参考価格
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関連製品 SI4110DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
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Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 6.5NS 208QFP |
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|
Microchip Technology |
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IC CPLD 384MC 7NS 144QFP |
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|
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|
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|
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|
Xilinx Inc. |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
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|
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
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