SI3900DV-T1-GE3 データシート
仕様 SI3900DV-T1-GE3
品番 :
SI3900DV-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
830mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI3900DV-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1425620 個
参考価格
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関連製品 SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 256BGA |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 384MC 3.5NS 256FTBGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 128MC 7.5NS 100TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 256MC 5.5NS 100TQFP |
||
|
Microchip Technology |
IC CPLD QTR PWR 25NS Ceramic 44JLCC |
||
|
Intel |
IC CPLD 128MC 10NS 100FBGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 384MC 5NS 176TQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 7.5NS 144TQFP |