SI1404BDH-T1-GE3 データシート
仕様 SI1404BDH-T1-GE3
品番 :
SI1404BDH-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
100pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6 (SOT-363)
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-SI1404BDH-T1-GE3
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2736251 個
参考価格
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