仕様 PMDPB56XN,115

品番 : PMDPB56XN,115
メーカー : NXP USA Inc.
説明文 : MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 170pF @ 15V
パワー-最大 : 510mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN2020-6
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
52702 個
参考価格
USD 0
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