MBR40035CTR データシート
仕様 MBR40035CTR
品番 :
MBR40035CTR
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明文 :
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ :
Schottky, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
35V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
400A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
700mV @ 200A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1mA @ 35V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ :
Twin Tower
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-MBR40035CTR
簡単な説明
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
34144 個
参考価格
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関連製品 MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor
| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
|---|---|---|---|
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 256FTBGA |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 128MC 10NS 160QFP |
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|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
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|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA |
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|
Intel |
IC CPLD 128MC 7.5NS 100FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 208QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 10NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 208QFP |