GSID150A120S3B1 データシート
仕様 GSID150A120S3B1
品番 :
GSID150A120S3B1
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明文 :
SILICON IGBT MODULES
シリーズ :
Amp+™
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
300A
パワー-最大 :
940W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
14nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
D-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
D3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-GSID150A120S3B1
簡単な説明
SILICON IGBT MODULES
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
34464 個
参考価格
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- MoneyGram
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Lattice Semiconductor Corporation |
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