FDD4N60NZ データシート
仕様 FDD4N60NZ
品番 :
FDD4N60NZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
シリーズ :
UniFET-II™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
510pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
114W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-FDD4N60NZ
メーカー
簡単な説明
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1623111 個
参考価格
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- MoneyGram
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 144QFP |
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Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 96MC 5.5NS 100TQFP |
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Intel |
IC CPLD 192MC 20NS 160PGA |