仕様 DGD2117S8-13

品番 : DGD2117S8-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
駆動構成 : High-Side
チャンネルタイプ : Single
ドライバー数 : 1
門型 : IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給 : 10V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH : 6V, 9.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) : 290mA, 600mA
入力方式 : Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) : 600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) : 75ns, 35ns
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
652211 個
参考価格
USD 0
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