APTM120H140FT1G データシート
仕様 APTM120H140FT1G
品番 :
APTM120H140FT1G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明文 :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
145nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3812pF @ 25V
パワー-最大 :
208W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP1
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP1
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-APTM120H140FT1G
簡単な説明
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
71904 個
参考価格
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