APT39F60J データシート
仕様 APT39F60J
品番 :
APT39F60J
メーカー :
Microsemi Corporation
説明文 :
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
シリーズ :
POWER MOS 8™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
280nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
480W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOTOP®
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-APT39F60J
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
40365 個
参考価格
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関連製品 APT39F60J Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA |
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IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 256FTBGA |
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