2N7635-GA データシート
仕様 2N7635-GA
品番 :
2N7635-GA
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明文 :
TRANS SJT 650V 4A TO-257
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
-
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc) (165°C)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
415 mOhm @ 4A
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
324pF @ 35V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
47W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-257
パッケージ/ケース :
TO-257-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-2N7635-GA
簡単な説明
TRANS SJT 650V 4A TO-257
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
78525 個
参考価格
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